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512KB 256Kx16 3V 65mA 3.6V 16bit BGA
| Hersteller | Infineon Technologies |
|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | CY14B104NA-BA45XE |
| IC-Kategorie | Integrierte Speicherschaltkreise |
| Gehäuse | BGA |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv |
| Programmierbar | Nicht verifiziert |
|---|---|
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Technologie | NVSRAM (nichtflüchtiges SRAM) |
| Speichergröße | 4Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
| Zugriffszeit | 45 ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40 degC ~ 125 degC (TA) |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Gehäuse / Package | 48-TFBGA |
| Gehäuse des Lieferanten | 48-FBGA (6x10) |
Bestand und Preise werden regelmäßig aktualisiert. Technische Daten dienen als Referenz für die Entwicklung.
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