W25Q128JVSIQ Alternatives: NOR Flash Cross-Reference
A practical cross-reference for the 128 Mbit SPI NOR part: what must match, where firmware breaks, and how to qualify a second source.
Read articleGD25Q256EYIGR - GigaDevice Flash Memory, WSON-8-EP(6X8)
Regular price
$5.89
Mengenrabatte
| Quantity | Unit Price |
|---|---|
| 1+ | $5.25 |
| 10+ | $4.84 |
| 30+ | $4.63 |
| 100+ | $2.51 |
| 500+ | $2.41 |
| 1000+ | $2.36 |
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Integrierter Schaltkreis
GD25Q256EYIGR
2.7V~3.6V 256Mbit 133MHz SPI WSON-8-EP(6x8) Speicher (ICs) RoHS
Auf Lager
WSON-8-EP(6x8)
normal
Stückpreis$5.2457
Auf Lager
HerstellerGigaDevice Semicon Beijing
GehäuseWSON-8-EP(6x8)
Bestand1314
VerpackungTape & Reel (TR)
Grundlegende Informationen
| Hersteller | GigaDevice Semicon Beijing |
|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | GD25Q256EYIGR |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 256Mbit 133MHz SPI WSON-8-EP(6x8) Speicher (ICs) RoHS |
| IC-Kategorie | Speicher (ICs) |
| Gehäuse | WSON-8-EP(6x8) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Standard-Verpackungsmenge | 3000 |
| Verfügbarer Bestand | 1314 |
| Verfügbarkeit | Auf Lager |
| Lebenszyklusstatus | normal |
Wichtige Spezifikationen
| Spannung - Versorgung | 2.7V~3.6V |
|---|---|
| Speichergröße | 256Mbit |
| Betriebstemperatur | -40℃~+85℃ |
| Programm-/Löschzyklen | 100,000 Zyklen |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Merkmale | Schreibfreigabe-Latch;Power-on-Reset;Hardware-Schreibschutz;Software-Schreibschutz;Absoluter Schreibschutz |
| Datenaufbewahrung - TDR (Jahr) | 20 Jahre |
Technische Attribute
| Blocklöschzeit (tBE) | 150ms@(64KB) |
|---|---|
| Schreibzykluszeit (tWC) | - |
| Seitenprogrammierzeit (Tpp) | 250us |
| Standby-Versorgungsstrom | 16uA |
| Schnittstelle | SPI |
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Bestand, Lieferzeit und Preise werden regelmäßig aktualisiert. Technische Daten dienen als Referenz für Ingenieure.
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