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SAMSUNG

K4UBE3D4AB-MGCL - SAMSUNG SRAM/DRAM, FBGA-200

In stock
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$84.67
Mengenrabatte
QuantityUnit Price
1+$85.13
20+$80.60
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Integrierter Schaltkreis

K4UBE3D4AB-MGCL

32Gbit 570mV~650mV 2.133GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Speicher (ICs) RoHS

Auf Lager FBGA-200 normal
Stückpreis$85.1301
Auf Lager
HerstellerSAMSUNG
GehäuseFBGA-200
Bestand383
VerpackungTray

Grundlegende Informationen

Hersteller SAMSUNG
Hersteller-Teilenummer K4UBE3D4AB-MGCL
Beschreibung 32Gbit 570mV~650mV 2.133GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Speicher (ICs) RoHS
IC-Kategorie Speicher (ICs)
Gehäuse FBGA-200
Verpackung Tray
Standard-Verpackungsmenge 20
Verfügbarer Bestand 383
Verfügbarkeit Auf Lager
Lebenszyklusstatus normal

Wichtige Spezifikationen

Refresh-Strom -
Speichergröße 32Gbit
Spannung - Versorgung 570mV~650mV
Betriebstemperatur -25℃~+85℃
Taktfrequenz 2.133GHz
Merkmale Auto self-refresh;Auto precharge function;Write leveling function;Asynchronous reset function;Data mask function;ZQ calibration function
Speicherformat LPDDR4X SDRAM

Technische Attribute

Strom - Versorgung -

Dokumente & Engineering-Ressourcen

Bestand, Lieferzeit und Preise werden regelmäßig aktualisiert. Technische Daten dienen als Referenz für Ingenieure.

Datenblatt

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