Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
VISHAY

Si2308BDS-T1-GE3 - Vishay 60V N-kanal MOSFET

In stock
SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
(0)
$0.43
När du har lagt en beställning kommer vårt säljteam att skicka en skriftlig bekräftelse på det slutliga priset, fraktkostnader och beräknad leveranstid. Importtullar, skatter, mäklaravgifter och andra destinationsavgifter är kundens ansvar. Vid behov kan vi bistå med tillgänglig produktinformation och tulldokument för importdeklaration; slutlig tullklarering och betalning förblir kundens ansvar.

Si2308BDS-T1-GE3

60V N-kanalig TrenchFET-effektMOSFET för batteriomkoppling och DC-DC-omvandling i SOT-23-kapsling.

Tillgängligt lager: 1590SOT-23-3 (TO-236)Utgången
TillverkareVishay Siliconix
KapslingSOT-23-3 (TO-236)
Lager1590
Första offererade kvantitet10 pcs

Priser & beställning

Enhetspris (USD)$0.43
Antal Angivet enhetspris (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Produktinformation

Tillverkarens artikelnummer Si2308BDS-T1-GE3
Kapsling SOT-23-3 (TO-236)
Livscykelstatus Utgången
Tillverkare Vishay Siliconix
FET-typ N-kanal
Drain-source-spänning (max) 60 V
Gate-source-spänning (max) +/-20 V
På-resistans (max) 156 mOhm vid VGS=10 V, ID=1.9 A
Korslutningstemperatur vid drift -55 till +150 deg C
Monteringstyp Ytmonterad
Ordersteg 1 pcs
Leverantörens minimipaket 1 pcs
Datumkod 22+
Leverantörens ledtid 7-9 arbetsdagar
Leverantörsoffert uppdaterad 2026-10-17

Datablad

Si2308BDS-T1-GE3 Datablad (PDF)

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

Manufacturer names and logos are used for product identification and navigation. Their display does not imply authorization, affiliation or endorsement. Availability is confirmed per quotation.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles