Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
Si2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 (TO-236) package
VISHAY

Si2308BDS-T1-GE3 - Vishay MOSFET à canal N 60V

In stock
SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
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$0.43
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Si2308BDS-T1-GE3

MOSFET de puissance TrenchFET à canal N de 60 V pour commutation de batterie et conversion DC-DC dans un boîtier SOT-23.

Stock disponible : 1590SOT-23-3 (TO-236)Obsolète
FabricantVishay Siliconix
BoîtierSOT-23-3 (TO-236)
Stock1590
Première quantité citée10 pcs

Tarification & commande

Prix unitaire (USD)$0.43
Quantité Prix unitaire indiqué (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Informations produit

Numéro de pièce du fabricant Si2308BDS-T1-GE3
Boîtier SOT-23-3 (TO-236)
Statut du cycle de vie Obsolète
Fabricant Vishay Siliconix
Type de FET Canal N
Tension Drain-Source (max) 60 V
Tension grille-source (max) +/-20 V
Résistance à l'état passant (max) 156 mOhm à VGS=10 V, ID=1.9 A
Température de jonction en fonctionnement -55 à +150 deg C
Type de montage Montage en surface
Incrément de commande 1 pcs
Lot minimum fournisseur 1 pcs
Code date 22+
Délai de livraison du fournisseur 7 à 9 jours ouvrés
Devis fournisseur mis à jour 2026-10-17

Fiche technique

Fiche technique Si2308BDS-T1-GE3 (PDF)

Datasheet PDF

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