k4ube3d4ab-mgcl-samsung-32gbit-570mv-650mv-2-133ghz-lpddr4x-sdram-fbga-200-memory-ics-rohs package
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SAMSUNG

K4UBE3D4AB-MGCL - SAMSUNG Memoria (IC)

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Circuito integrato

K4UBE3D4AB-MGCL

32Gbit 570mV~650mV 2.133GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Memoria (CI) RoHS

Disponibile FBGA-200 normale
Prezzo unitario$85.1301
Disponibile
ProduttoreSAMSUNG
PackageFBGA-200
Scorte383
ConfezioneVassoio

Informazioni di base

Produttore SAMSUNG
Numero parte produttore K4UBE3D4AB-MGCL
Descrizione 32Gbit 570mV~650mV 2.133GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Memoria (CI) RoHS
Categoria CI Memoria (CI)
Package FBGA-200
Imballaggio Vassoio
Quantità standard per confezione 20
Scorte disponibili 383
Disponibilità Disponibile
Stato del ciclo di vita normale

Specifiche principali

Corrente di refresh -
Dimensione memoria 32Gbit
Tensione - Alimentazione 570mV~650mV
Temperatura di esercizio -25℃~+85℃
Frequenza di clock 2.133GHz
Caratteristiche Auto self-refresh;Funzione di auto precharge;Funzione di write leveling;Funzione di reset asincrono;Funzione di data mask;Funzione di calibrazione ZQ
Formato memoria LPDDR4X SDRAM

Attributi tecnici

Corrente - Alimentazione -

Documenti e risorse di ingegneria

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