Si2308BDS-T1-GE3 - Vishay 60V N-kanal MOSFET

In stock
SKU: SI2308BDS-T1-GE3-SOT-23-3
Regular price $0.43
Etter at du har lagt inn en bestilling, sender salgsteamet vårt skriftlig bekreftelse på den endelige prisen, fraktkostnader og estimert leveringstid. Importavgifter, skatter, megleravgifter og andre destinasjonsgebyrer er kundens ansvar. Ved behov kan vi bistå med tilgjengelig produktinformasjon og tolldokumenter for importdeklarasjon; endelig fortolling og betaling forblir kundens ansvar.

Si2308BDS-T1-GE3

60V N-kanal TrenchFET-effekt-MOSFET for batterisvitsjing og DC-DC-konvertering i SOT-23-kapsling.

Tilgjengelig lager: 1590SOT-23-3 (TO-236)Utgått
ProdusentVishay Siliconix
KapslingSOT-23-3 (TO-236)
Lager1590
Første tilbudte kvantitet10 pcs

Priser & bestilling

Enhetspris (USD)$0.43
Antall Oppgitt enhetspris (USD)
10+ $0.4275
100+ $0.3947
500+ $0.3782
1000+ $0.3683
2000+ $0.3618

Produktinformasjon

Produsentens delenummer Si2308BDS-T1-GE3
Kapsling SOT-23-3 (TO-236)
Livssyklusstatus Utgått
Produsent Vishay Siliconix
FET-type N-kanal
Drain-source-spenning (maks) 60 V
Gate-source-spenning (maks) +/-20 V
På-motstand (maks) 156 mOhm ved VGS=10 V, ID=1.9 A
Driftstemperatur for overgang -55 til +150 deg C
Monteringstype Overflatemontert
Bestillingsøkning 1 pcs
Leverandørens minimumspakning 1 pcs
Datokode 22+
Leverandørens leveringstid 7-9 virkedager
Leverandørtilbud oppdatert 2026-10-17

Datablad

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles