CY14B256I-SFXIT - Infineon Technologies Circuits intégrés de mémoire

In stock
SKU: CY14B256I-SFXIT-SOIC
Regular price $8.96
Après avoir passé une commande, notre équipe commerciale vous enverra une confirmation écrite du prix final, des frais d'expédition et du délai de livraison estimé. Les droits d'importation, taxes, frais de courtage et autres frais de destination sont à la charge du client. En cas de besoin, nous pouvons vous aider avec les informations disponibles sur les produits et les documents douaniers pour la déclaration d'importation ; Le dédouanement final et le paiement restent à la charge du client.

CY14B256I-SFXIT

NVRAM NVSRAM Serial-I2C 256Kbit 3V 16-Pin SOIC W T/R

Stock disponible : 3792SOICActif
FabricantInfineon Technologies
BoîtierSOIC
Stock3792
Conditionnement standard1

Tarification et commande

Prix unitaire$8.9610

Informations de base

Fabricant Infineon Technologies
Numéro de pièce du fabricant CY14B256I-SFXIT
Catégorie de CI Circuits intégrés de mémoire
Boîtier SOIC
Statut du cycle de vie Actif

Attributs techniques

Programmable Non vérifié
Type de mémoire Non volatile
Format mémoire NVSRAM
Technologie NVSRAM (SRAM non volatile)
Taille mémoire 256Kbit
Organisation mémoire 32K x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 3.4 MHz
Temps de cycle d'écriture - mot, page -
Tension - alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40 degC ~ 85 degC (TA)
Type de montage Montage en surface
Boîtier / package 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package du composant fournisseur 16-SOIC

Documents & Engineering Resources

L'inventaire et les prix sont mis à jour régulièrement. Les données techniques sont fournies à titre de référence d'ingénierie.

Datasheet PDF

Open PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles