W634GU6RB-11 - Winbond Bộ nhớ (IC)

In stock
Regular price $16.87
Giảm giá theo số lượng
QuantityUnit Price
16+$16.87
160+$16.27
480+$15.23
1600+$14.32
Sau khi bạn đặt hàng, đội ngũ bán hàng của chúng tôi sẽ gửi văn bản xác nhận về giá cuối cùng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng ước tính. Thuế nhập khẩu, thuế, phí môi giới và các khoản phí đích khác là trách nhiệm của khách hàng. Khi cần, chúng tôi có thể hỗ trợ thông tin sản phẩm có sẵn và hồ sơ hải quan để khai báo nhập khẩu; thủ tục hải quan cuối cùng và thanh toán vẫn là trách nhiệm của khách hàng.

Mạch tích hợp

W634GU6RB-11

1.283V~1.45V 4Gbit 933MHz DDR3L SDRAM VFBGA-96(13x7.5) Bộ nhớ (IC) RoHS

Còn hàng VFBGA-96(13x7.5) bình thường
Đơn giá$18.1313
Còn hàng
Nhà sản xuấtWinbond
GóiVFBGA-96(13x7.5)
Tồn kho2896
GóiKhay

Thông tin cơ bản

Nhà sản xuất Winbond
Mã linh kiện của nhà sản xuất W634GU6RB-11
Mô tả 1.283V~1.45V 4Gbit 933MHz DDR3L SDRAM VFBGA-96(13x7.5) Bộ nhớ (IC) RoHS
Danh mục IC Bộ nhớ (IC)
Gói VFBGA-96(13x7.5)
Đóng gói Khay
Số lượng đóng gói tiêu chuẩn 198
Tồn kho khả dụng 2896
Tình trạng sẵn có Còn hàng
Trạng thái vòng đời bình thường

Thông số kỹ thuật chính

Dòng làm mới -
Điện áp - Nguồn cấp 1.283V~1.45V
Dung lượng bộ nhớ 4Gbit
Nhiệt độ hoạt động -40℃~+95℃
Tần số xung nhịp 933MHz
Tính năng Tự làm mới tự động;Chức năng nạp trước tự động;Chức năng mặt nạ dữ liệu;Chức năng san bằng ghi;Chức năng hiệu chuẩn ZQ;Chức năng đặt lại không đồng bộ;Kết cuối động trên chip
Định dạng bộ nhớ DDR3L SDRAM

Thuộc tính kỹ thuật

Dòng điện - Nguồn cấp -

Tài liệu & Tài nguyên kỹ thuật

Tồn kho, thời gian giao hàng và giá cả được cập nhật thường xuyên. Dữ liệu kỹ thuật được cung cấp để tham khảo cho kỹ thuật.

Datasheet PDF

Mở datasheet PDF

MANUFACTURER ACCESS

Manufacturers We Source

Browse frequently requested semiconductor and electronic component manufacturers, then search the catalog or submit an RFQ for the exact part you need.

From the desk

Recent Articles

Market signals, technical notes, and practical sourcing guidance for semiconductor procurement.

View all articles